前面两天我们分别说了年底的电源和机械硬盘的购买建议，今天小狮子来和大家聊聊今年最热也堪称降价跳水最厉害的品类——固态硬盘。
国产崛起，白菜价时代的到来
由于全球存储颗粒供需关系的变化，特别是以中国长江存储、英韧等国产存储颗粒、主控芯片方案厂商的崛起以及产能的迅速增加，国内也一下子涌现出了众多的品牌上马固态硬盘项目，这一次，不再是清一色的黑片、杂牌片低劣产品，而是清一色的国产颗粒和主控的正规产品，性价比极高。
在此大势之下，国外颗粒供应商和成品供应商也低下了高昂的头颅，整个市场在今年呈现出一波接一波的跳水行情。
跳到什么程度呢？到年底，不到500元可以买到国际一线品牌PCIe Gen3 的TLC颗粒NVMe 1TB有缓存产品，不到900元可以上PCIe Gen4产品，甚至过去的旗舰产品也跌到了1TB 1500元上下！299元1TB的PCIe3.0产品也出现在了DIY市场上！
年底不少硬件“团长”开团国产SSD价格再创新低
感谢自主创新，让DIYer终于用上了便宜又有足够性能的SSD！
一图理清SSD购买思路
回到选购本身来，这里有一张经过网友集体智慧整理出来的图，可以作为选择SSD的思路。
简单来说，先确定你的接口选择（SATA、M.2（NVMe）），然后是产品定位（根据预算和用途，选择入门、中端还是高端？），最后根据颗粒、主控方案、容量、速度、耐用性、质保政策等多个方面，结合自己的需要，选择适合的产品。
接下来按这个思路，我们来谈谈各层级产品的选择。
SATA SSD：性价比暴跌但仍有存在意义
SATA固态硬盘的性能差距让它在今年的降价潮中失意，最顶级的SATA固态硬盘也没有入门级NVME固态硬盘的性能的一半。
这是因为它们利用SATA接口，无论是在 2.5"（物理）或M.2（逻辑）的形式，关键是它们使用旧的AHCI协议，这个协议不是为固态硬盘设计的。因此，它几乎无法突破600MB/s的读写性能瓶颈。
但在装机实践中，特别是老机器的升级中，任何固态硬盘都是对机械硬盘的一种升级。甚至老式电脑也会有一个或多个SATA接口，这就是它存在在市场上的意义。
SATA SSD用于给老机器升级还是十分有意义的，至少开机速度提高N倍
一个具体的特征将 "好 "的驱动器与 "不好 "的SATA固态区分开来：是否有或没有 DRAM缓存。
SATA固态硬盘上的DRAM并不像你在机械硬盘上看到的那样，充当写入或数据缓存。
相反，它是帮助闪存转换层（FTL），即硬盘在操作系统和闪存之间进行通信的方法。FTL处理大量的数据交换功能，而DRAM的存在可以帮助它完成这些功能，提高性能和耐用性。特别是混合工作负载，操作系统和生产力常见的“边读边写”–特别是许多小的4k读写操作， 从DRAM中受益最大。
由于这个原因，当把SATA固态硬盘接硬盘盒当移动硬盘使用时，配备DRAM的有缓SATA硬盘是理想选择，特别是接PS5以前的老游戏机的时候，由于这些游戏机不能正确支持TRIM，因此有缓SATA固态硬盘的性能提升要高得多。
入门级SATA固态
入门级SATA硬盘一般是无缓的，适用于轻载桌面机器日常使用或一般数据存储，或作为专用游戏盘提升载入速度（大容量NVME盘降价潮后，这个用途削弱了）。其优势目前只剩下“量大管饱”了。
大多数QLC硬盘都属于这种类型，因为它们需要更多的容量，来容纳更多的模拟SLC缓存来达到峰值性能。而在读写量超出临时性的SLC缓存容量之外，QLC硬盘也比较慢，而且不太稳定。
三星870QVO属于入门级SATA固态硬盘天花板，虽然是QLC颗粒，但是有DRAM缓存
低端SATA固态常用主控方案：Marvell 88NV1120、Maxio MAS0902A、Phison S11/T、Phison S13/T、Realtek RTS5733、SMI SM2258XT、SMI SM2259XT。
中端SATA固态
这些SATA固态硬盘适用于任何用途，但却是市场上非常好的机械硬盘的廉价替代品。它们通常有DRAM缓存，但可能在其他方面有缺陷：旧的或低耐用度的闪存颗粒，旧的主控方案，等等。如果预算很重要，但你又不想降到无DRAM的SATA固态硬盘，这些是一个选择。
HP S700 PRO是这个级别SATA SSD的代表之一
这个级别的SATA固态硬盘一般采用这几种主控：Marvell 88SS1074、Phison S10、SMI SM2258。
高端SATA固态
它们有较新的、强大的主控和最新的闪存颗粒，几乎都是有缓方案，且大多为TLC颗粒且模拟SLC缓存空间较大，基本都能接近SATA接口AHCI协议下的理论读写速度峰值。它们适用于任何类型的使用场景。
金士顿KC600是这个档次SATA固态硬盘的代表
NVMe固态：百花齐放，价格大降
非易失性存储总线（NVMe）协议适用于固态设备。它比AHCI有许多优势，包括新的命令、更深的队列深度、改进的中断、更好的并行性（线程）、更好的效率、更低的I/O和处理开销、更高的IOPS、更好的延迟、更高的带宽，等等。
与SATA相比，一般用户可能只看到轻微的性能提升，例如游戏加载时间。但它在重载工作下的性能优势则是突破性的。因此2019年，NVME SSD的OEM订单首次超过了SATA。Er 而现在，NVMe固态硬盘的溢价处于历史最低水平。因此，如果你的系统支持NVMe，并且预算允许，首选NVMe硬盘是明智的。
不是所有的NVMe硬盘选择标准一样。
移动设备和小尺寸（SFF）机器可能更重视电源效率、更小的发热，或需要单面芯片盘。同样，其实一般场景下，DRAM缓存在NVMe驱动器上并不那么关键了，NVMe协议比AHCI有足够的提升，加上今年的大部分新主控产品，支持通过主机内存缓冲区（HMB）使用系统内存来代替缓存，所以在HMB缓内，可以有QLC的容量价格和TLC的性能。
此外，NVME SSD有不同的主控方案，制约了它们的性能，比如主控是四通道还是八通道？主控芯片是单核还是多核？
还有是否采用SLC模拟缓存设计：有些顶级NVME固态是DRAM缓存加模拟SLC，有些中低端产品则是HMB+模拟SLC，而有些低端产品只有HMB或者只有很小容量的模拟SLC缓存。因此，需要根据你的应用场景，从不同的方面对性能进行区分。
例如SN850X不仅是有DRAM缓存方案，最大可用模拟SLC缓存达到了超过200GB
入门级NVME
入门级NVMe SSD是入门装新机或SATA替代品，也可能是老笔记本和迷你台式机器的理想选择。这些盘往往有性能一般的四通道主控，有较少容量的DRAM缓存或没有DRAM。大多数无DRAM的产品，则支持HMB（注意HMB不支持USB外壳桥接芯片，所以如果你拿这种低端NVME SSD装硬盘盒性能将大大降低）。颗粒方面则是QLC和TLC都有，而且一般是单面芯片型。
产品太多，不一一列举，建议看文末总结的表格。
中端NVMe
这些是最适合普通消费者的产品，在台式机上具有很高的性能。通常有性能强大的八通道主控方案，足够的DRAM缓存容量，优质的NAND颗粒，基本上顶级PCIe 3.0或4.0产品等。这个类别的硬盘将给你带来很好的用户体验，同时一般来说是负担得起的。
WD SN770是这个级别的代表产品
这个级别常用的主控方案有：InnoGrit英韧 IG5220、Marvell 88SS1092、Phison群联 E12/E12S、E16、E21T (TLC)、Realtek瑞昱RTS5762、SMI慧荣SM2262/EN、SM2267、SM2269XT (TLC)。
产品太多，不一一列举，建议看文末总结的表格。
高端NVMe
高端NVMe固态硬盘是专门用于某些任务的，例如生产力方面的内容创作或工作站级别的工作负载。这些硬盘将有独特的特性来帮助这种类型的使用，光通过PCIe4.0 Gen4第四代接口和最新的闪存颗粒就足以提供高读写性能，加上巨大的DRAM缓存和动态SLC模拟缓存容量，更低的发热量和附加的散热装甲、RGB灯，因此，这些硬盘往往更加昂贵。追求极致性能的玩家和用户当然可以选择它，特别是在13代酷睿和ZEN4 锐龙处理器在高速总线通道数量上突破后，更有利于发挥它们的性能优势。
目前三星990PRO仍然是这个级别性能的领先者，但一些性能接近但更便宜的产品也多了起来，如金士顿KC3000，WD SN850X，希捷酷玩530等。
今年来看，旗舰级NVME产品的主控方案有三家，英韧 IG5236、群联E18、慧荣SM2264，当然也有西数/闪迪/三星的自研自用主控。
产品太多，不一一列举，建议看文末总结的表格。
术语答疑：再看厂商数据表不迷茫
在很多老SSD玩家的网络评测中，常常除了主控参数外，还有众多的其他不常见参数，这些参数其实大部分来自厂商的datasheet（数据表），是比厂商电商页面更为详尽的资料。但其中有很多术语大家不熟悉，这里就给大家集中解答下。
3D NAND：三维NAND颗粒。较新的主流NAND类型，有不同数量的层。三维维度在颗粒单元之间提供了更多的空间，减少了单元与单元之间的干扰。这允许更大的空间来平衡更高的存储密度、更高的性能、耐用性。一个被列为96层颗粒的产品可能实际上是92层 3D颗粒。
32~196L：32层~196层 NAND颗粒。
BCH ：Bose-Chaudhuri-Hocquenghem codes，一种ECC纠错方案，用于一些SSD主控方案中，如群联的S10主控。
BiCS：比特成本比例。一般来说1个BiCS=32层，BiCS2=48层，BiCS3=64层，BiCS4=96层，BiCS5=128层。这是基于3D NAND是可扩展的概念，可以通过增加层数来降低单位容量的成本。有些厂家颗粒喜欢用BICS数描述，例如铠侠的颗粒。
Block：块，NAND颗粒中包含许多页的存储单位，是NAND颗粒中可用于擦除的最小单位。
Block allocation table:区块分配表，跟踪NAND颗粒区块状态的表格，很多时候删除SSD上文件仅仅是在这个表里把文件所属的区块标记为可以被其他内容覆写。
桥接芯片/控制器：通常是一个单独的控制器，用于接口之间的转换，如内存总线到PCIe总线。
缓存Cache：在较快的存储设备中收集和组合写入的数据和/或缓冲访问的数据，用于较慢的存储设备。例如SSD的DRAM缓存速度比QLC或TLC颗粒快。
CE：可用芯片数。一般是指每个主控芯片的通道可以连接的最大NAND颗粒数。
转换：把虚拟SLC区块（一般用于缓存作用）转回本地NAND (如 TLC) 颗粒实际形态，用于动态SLC缓存模拟。
Die：NAND的单元，由排列成闪存芯片/包装的块组成，可以理解为“颗粒”。
Direct-to-TLC/QLC ：TLC/QLC直写，当SLC缓存用尽时直接写入本地NAND的方法，也就是出缓写入。
DWA ：动态写入加速。在认为必要的情况下，在SLC和本地颗粒物理格式之间转换块。也被称为动态 SLC。
DWPD：每天的驱动器写入量。这是在保证的TBW范围内，每天可能写入NAND的次数或数据量。
ECC ：错误纠正代码。用于纠正数据错误，是SSD耐用性的一个关键。
耐久性：硬盘在保持可操作性的情况下可能承受的磨损量。TBW和DWPD是指有保证的写入量，实际的耐久性通常要高得多。
折叠folding：将数据从SLC块转移到MLC/TLC/QLC块，例如三个SLC块到一个TLC块。也是一种垃圾收集的方法，即多个部分块合并成一个替换块。由于它是按顺序折叠的，所以减少了NAND的磨损，但性能较差。在现在主流产品中，折叠是在没有主控或DRAM干预的情况下进行颗粒的片上操作。
FTL：闪存转换层。使操作系统能够像对待机械硬盘一样对待SSD，在其他任务中提供地址转换和垃圾收集。经常在DRAM和SLC的 缓存中进行处理，以加快访问速度。
GC ：垃圾收集。合并写入的数据，以允许擦除区块，通常与损耗均衡和TRIM同时进行。
HMB ：主机内存缓冲区。一种NVMe技术，允许SSD利用系统内存（RAM）进行DRAM缓存，而不是在SSD的PCB上设置专用缓存内存。
IOPS ：每秒输入/输出操作。这是衡量每秒钟完成多少输入和输出操作的标准。
总结：挂一漏万，尽量一表看通透
最后是小狮子为大家准备的国内外主流品牌的SSD的性能、方案、定位等详细信息的细节表。由于近期的国内品牌大爆炸，很多品牌由于小狮子尚未找到资料或者拿到产品实测，所以未能出现在表格中，挂一漏万，万望大家见谅。
当然，由于表格较大，为方便大家查询，大家也可以到以下网盘网址下载：
链接: https:///s/1PFQygooCSKjGcMmZrfJGbg?pwd=9s1x 提取码: 9s1x 复制这段内容后打开百度网盘手机App，操作更方便哦
文章来源于钛师父
原文链接：https://rmh.pdnews.cn/Pc/ArtInfoApi/article?id=33217777
