原标题：高通骁龙 8 Gen 4 芯片曝光，台积电、三星各生产一版
目前，高通已经正式宣布，2023骁龙峰会定档10月24日至10月26日。
结合以往的情况来看，这次活动中将会正式推出第三代骁龙8旗舰平台，即此前被多次曝光的骁龙8 Gen3芯片。
而在今年的骁龙8 Gen3芯片发布前，网络上也出现了关于更久之后的骁龙 8 Gen 4 的细节信息。
最新的消息中提到，高通正在进行 3nm 芯片的推进，并逐渐展开产品的生产规划。
而就目前爆料中的信息来看，高通很有可能会与台积电、三星合作来生产全新的骁龙 8 Gen 4 芯片。
其中，标准版本的骁龙 8 Gen 4 将由台积电负责生产；三星则将承担高通骁龙 8 Gen 4 for Galaxy的生产，也就是骁龙 8 Gen 4“领先版”，其将采用三星的 3nm GAP 工艺。
与此同时，这两款芯片产品有可能会同时到来，但“领先版”可能会延后开放给其他厂商使用销售。
以往的消息曾提到过，三星电子先进制程良率较低，自5nm制程开始一直存在良率问题，在4nm和3nm工艺上情况变得更加糟糕。
据传三星3nm自量产以来，良率不超过20%，量产进度陷入瓶颈。三星目前在4nm和5nm艺节点上出现了与产量有关的问题，其不希望这个问题再次出现在3nm工艺上。
相关消息显示，三星3nm工艺的改进目前仍在进行中，4nm的工艺提升已初见成效。
据凤凰网科技报道称，三星4nm芯片制程良率已改善、接近5nm的水准，下一代4nm制程将提供更高的良率。
不过，就最新爆料中显示的信息来看，三星可能还需要两年左右的时间才能够再次进行基于3nm工艺的旗舰平台的产品生产。但随着时间的推进，整体的情况发展也存在着变化的可能。
而在高通的3nm芯片到来前，全新的骁龙 8 Gen 3 旗舰平台将会首先到来。
此前，博主@数码闲聊站 的一份爆料显示，全新的骁龙8 Gen3单核跑分成绩2233，多核跑分成绩 6661。
对比来看，搭载了3.36GHz骁龙8 Gen2的三星Galaxy S23 Plus单核成绩2005，多核成绩5274；搭载了天玑9200+的设备单核成绩2117，多核成绩5583。
就此来看，新一代的骁龙8 Gen3在性能表现方面将持续带来升级。
据悉，骁龙8 Gen3将基于台积电N4P工艺打造，拥有 1 颗3.3GHz频率的Cortex X4 超大核、3颗3.15GHz的 A720 大核、2颗2.96GHz 的A720 大核，以及2颗2.27GHz的 A530 小核，配备 Adreno 750 GPU。
与之对比，第二代骁龙8基于 4 纳米工艺制造，采用1+2+2+3 架构，拥有1个主频3.2GHz的超大核、4个主频2.8GHz的性能核、3个频率2.0GHz的能效核。
而更早之前的消息则显示，全新骁龙8 Gen3芯片普通版的频率将在3.18/3.2GHz左右，安兔兔跑分达到160万，GFX ES3.1 280FPS±。
与之对比，骁龙 8 Gen 2 的安兔兔跑分在 133万左右，GFX ES3.1 220FPS±。
至于可能会搭载这颗芯片的手机产品，目前已经曝光了多款。而结合以往的消息来看，小米新一代的数字旗舰首发搭载的可能性要更大一些。
与此同时，摩托罗拉、OPPO、vivo、iQOO、一加、魅族、中兴、努比亚等品牌都有望推出搭载了骁龙 8 Gen 3芯片的手机产品。
当然，鉴于暂时还没有确切的官方消息出现，实际的产品搭载情况如何还有待后续确认。大家更期待哪款设备搭载呢？
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